CSD18512Q5B

功能描述:40V N CH MOSFET

制造商:texas instruments

系列:NexFET??

包装:剪切带(CT)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):211A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7120pF @ 20V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):139W(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 毫欧 @ 30A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-VSON-CLIP(5x6)

封装/外壳:8-PowerTDFN

标准包装:1

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